Estudio B3LYP/cc-pVTZ del crecimiento de clusters constituidos por Al y N

V. FERRARESI CUROTTO; REINALDO PIS DIEZ

Salta

Congreso; XVI Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica; 2009

El AlN es un semiconductor III/V y tiene una importancia creciente debido a supotencial aplicación en la preparación de películas delgadas para dispositivoselectrónicos. El interés en el estudio de los clusters de este material se basa en que laaplicación en películas delgadas para fabricar dispositivos electrónicos requiere unentendimiento profundo de las propiedades a nivel atómico.En este trabajo se informan los resultados obtenidos para clusters constituidos por Al yN, hasta un total de 6 átomos, siguiendo el camino de crecimiento de los mismosusando la energía de enlace como criterio de selección.Los clusters de Al-N fueron estudiados usando las herramientas de la teoría delfuncional de la densidad (DFT) [1-3]; usando el funcional híbrido de intercambio ycorrelación B3LYP [4,5], con funciones base cc-pVTZ [6,7], como se encuentraimplementado en el paquete Gaussian 03 [8].Las geometrías de equilibrio de los clusters se obtuvieron a partir de geometríasiniciales lineales y angulares, empezando por el dímero Al-N y agregando átomos deAl ó N, siguiendo el camino de disminución de la energía de interacción por fragmento.Cálculos de frecuencia fueron realizados en todos los casos para verificar la calidad delos puntos críticos, resultando reales todas las frecuencias calculadas.Propiedades estructurales, energías de atomización, densidades de estado (DOS,density of states), y poblaciones de solapamiento (COOP, cristal orbital overlappopulation), se reportan para los clusters más estables encontrados.[1] P. Hohenberg and W. Kohn, Phys. Rev. 136 (1964) B864–B871.[2] W. Kohn and L.J. Sham, Phys. Rev. 140 (1965) A1133–A1138.[3] R.G. Parr and W. Yang, Density Functional Theory of Atoms and Molecules, OxfordUniversity Press (1989).[4] A.D. Becke and J. Chem. Phys. 98 (1993) 5648–5652.[5] C. Lee, W. Yang and R.G. Parr, Phys. Rev. B 37 (1988) 785–789.[6] T. H. Dunning, Jr. J. Chem. Phys. 90 (1989) 1007.[7] T. H. Dunning, Jr. J. Mol. Struct. 388 (1996) 339.[8] M.J. Frisch, et al., Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2004, Gaussian 03, RevisionD.01.