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En la presente comunicación analizamos los efectos de la inhomogeneidad presente en films granulares de metales de transición con concentraciones tales que determinan una transición metal-aislador a temperaturas finitas. Así, con fracciones de volumen del metal de transición cercanas a las que se miden efectos magnetoresistivos gigantescos, Ni$_{0.61}$(SiO$_{2}$)$_{0.39}$ tiene un cambio metal-aislador en la pendiente de su resistividad a T$_{MI}$$\sim$77 K y Co$_{0.51}$(SiO$_{2}$)$_{0.49}$, a altas temperaturas con un comportamiento resistivo similar al esperado para un semimetal, tiene a $\sim$50 K un fuerte quebranto en su conductividad. Por otro lado, Co$_{0.85}$(SiO$_{2}$)$_{0.15}$ siendo un óxido metálico hasta 4 K, también sufre un cambio significativo en la pendiente de la resistividad a bajas temperaturas. Aquí mostramos, a partir de reflectividad infrarroja especular, que estos sistemas cuando se reduce la temperatura tienen como común denominador una notable continua reducción de la frecuencia de plasma, esto es, una disminución del número electrones itinerantes. La razón de scattering electrónico experimental, en función de la temperatura y frecuencia y extraída de un análisis por simulación de la función dieléctrica, es dominada por portadores polarónicos con presencia de fuertes interacciones electrón-fotón. A medida que reducimos la temperatura sufren un aumento discontinuo en su localización consecuencia de la disminución de caminos críticos de conducción. Los efectos del desorden implícitos en la matriz vidrio-metal de transición prevalecen como agregados aisladores predominantes debido a su conjunción con la rugosidad de las nanoparticulas y del sustrato (SiO$_{2}$). Concluimos que estos razonamientos se pueden extender a entornos comunes a óxidos complejos, tales como manganitas y dobles perovskitas, en donde coexisten agregados aisladores y conductores.