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El éxito de la tecnología de semiconductores en las últimas décadas se ha basado fundamentalmente en el tipo de fotoresistor utilizado [ ]. El enfoque tradicional para su desarrollo implica la obtención de componentes pequeños a un costo reducido, sin considerar, en general, la toxicidad del material desarrollado y su potencial impacto ambiental. El copolímero de vinilbencil timina (VBT) y vinilfenil sulfonato (VPS) es soluble en agua, ambientalmente benigno, se puede extender formando películas delgadas sobre una gran variedad de sustratos, como por ejemplo el polietilenterftalato (PET), y es potencialmente útil para el desarrollo de fotoresistores [1]. La química del entrecruzamiento y la inmovilización de estos copolímeros se basa en el mecanismo natural que involucra la fotodimerización inducida por luz ultravioleta de longitud de onda corta de la base nitrogenada timina del ADN [ ]. La timina es un compuesto que presenta un comportamiento ácido-base con un pKa ~ 9 y se ha demostrado que a un pH mayor que su pKa, la timina existe mayoritariamente en su forma aniónica, en un equilibrio entre dos tautómeros (proporción 1:1), uno de los cuales no puede entrecruzarse [ ]. Se comprobó experimentalmente que al aumentar la proporción de VPS en el copolímero, el pH de la solución aumenta hasta valores cercanos a 11, lo que produciría una disminución significativa de la eficiencia del entrecruzamiento. Sin embargo, la eficiencia y reproducibilidad del método empleado puede depender de otros factores, como por ejemplo: el espesor del extendido, la composición del copolímero, etc. [1]. En este trabajo, se realizó un diseño experimental basado en el modelo Placket-Burman para determinar que variables son significativas en el desarrollo de fotoresistores basados en VBT y VPS.