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Se estudiaron dispositivos basados en multicapas de silicio poroso en configuración sándwich (tipo S) y en capas simples en configuración planar (tipo P). El silicio poroso se preparó por anodizado de silicio monocristalino usando una solución fluorada. Cambiando periódicamente la densidad de corriente empleada se obtuvieron capas de diferentes porosidades. En el caso de los dispositivos tipo S, las multicapas se mantuvieron en el sustrato de silicio monocristalino precursor, uno de los contacto se realizó con pintura de plata sobre el silicio cristalino y el otro se fabricó depositando plata por medios electroquímicos. Posteriormente, se oxidó mediante tratamientos térmicos. En el caso de los dispositivos tipo P, las capas simples fueron separadas del sustrato mediante un pulso de alta densidad de corriente y transferidas a un sustrato de vidrio, al cual previamente se le depositaron contactos de aluminio. Ambas dispositivos mostraron resistencia diferencial negativa (RDN) presentando ruido telegráfico. El comportamiento observado se puede atribuir al bloqueo/desbloqueo coulombiano de canales de conducción en el silicio poroso. Experimentos a baja temperatura permiten descartar tunelamiento resonante como causante de estos efectos. Se demuestra que este efecto tiene potencial aplicación para la fabricación de dispositivos volátiles de almacenamiento de información.