INTEC 05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio computacional desde primeros principios de las propiedades electrónicas del a-AlF3
Autor/es:
J. L.NAVARRO SÁNCHEZ; N. V. GONZALEZ LEMUS; E. A. ALBANESI
Lugar:
Carlos Paz
Reunión:
Congreso; 96 Reunión AFA; 2012
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
El trifluoruro de aluminio AlF3 es un material iónico, que ha despertado gran interés por sus posibles aplicaciones y usos como película delgada aislante y en el recubrimiento de ciertos metales. Posee polimorfismos los cuales se presentan de acuerdo al rango de temperatura al que es sometido el material; modificándose su estructura cristalina y con ello sus propiedades electrónicas y ópticas. A temperatura ambiente, este material posee una estructura romboédrica estable. Basados en la teoría del funcional de la densidad electrónica (DFT), estudiamos las modificaciones no constantes en la estructura de bandas que introduce la corrección de muchos cuerpos conocida como GW; que resultan de gran importancia en este sistema debido a que es un aislante. Reportamos aquí las principales características de la densidad de estado y estructura de bandas, así como una primera estimación de la función dieléctrica. Los resultados obtenidos están en buena concordancia con los valores experimentales existentes previamente para el a-AlF3.
