DEPOSICIÓN DE NÍQUEL SOBRE PELÍCULAS DELGADAS DE SILICIO AMORFO MEDIANTE TÉCNICAS DE INMERSIÓN Y PIRÓLISIS DE SPRAY

M.E PERALTA; F. A. GARCES; N. BUDINI; J. SCHMIDT; R.D. ARCE

Valparaiso

Congreso; CONAMET/SAM 2012; 2012

El silicio policristalino (pc-Si) puede obtenerse por cristalización inducida por metales (metal induced crystallization, MIC) de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H). El Ni posee ciertas ventajas sobre otros metales: bajas densidades atómicas necesarias y mayor tamaño de grano final, llegando a los 100 μm. El Ni se deposita generalmente por pulverizado catódico (sputtering), que es un proceso simple pero requiere alto vacío. En este trabajo estudiamos dos métodos alternativos para depositar el Ni, basados en una solución de Ni. Su principal ventaja es que pueden llevarse a cabo a presión atmosférica y temperatura ambiente, o poco mayor a 100 °C. El primer método consiste en mojar el a-Si:H, por inmersión (dipping) o recubrimiento centrífugo (spin-coating), y su posterior secado. El segundo método se basa en la técnica de pirólisis por spray. El estudio se basó en buscar condiciones adecuadas de aplicación de cada método para obtener pc-Si con el mayor tamaño de grano posible.