Caracterización del crecimiento de C60 sobre superficies metálicas, semi-metálicas y semiconductoras

R. VIDAL; M. PASSEGGI; F. BONETTO; J. FERRÓN

Carlos Paz

Encuentro; 97 Reunion Anual de la Asociacion Fisica Argentina; 2012

El crecimiento de C60 sobre Si(100), Cu(100) y HOPG es caracterizado utilizando espectroscopia de electrones Auger (AES) para Si y Cu(100) y microscopia de fuerza at´omica (AFM) para HOPG. Encontramos que el crecimiento es capa a capa al menos en las dos primeras. La persistencia de la se˜nal del Si (a diferencia del Cu) m´as all´a de la saturaci´on del C, sugiere un recubrimiento incompleto posterior. Los tiempos de formaci´on de las monocapas difieren entre la primera y segunda mostrando la dependencia del recubrimiento con el coeficiente de pegado. Es un hecho conocido, lo que verificamos a trav´es de desorci´on t´ermica, que existen diferencias entre las energ´ıas de adsorci´on C60 sustrato vs C60-C60. En este trabajo observamos su influencia en la velocidad de crecimiento. El decapado i´onico muestra tambi´en diferencias importantes entre la capa en contacto con el sustrato y las superiores. La dependencia con la dosis es lineal, e independiente de si utilizamos iones de He o Ar, hasta la remoci´on previa de la primer capa. Este resultado es curioso, dado que las mol´eculas de C60 son destruidas en la colisi´on, lo que determinamos, a trav´es de la espectroscopia de p´erdida de energ´ıa, con la medici´on de la excitaci´on del plasmon caracter´ıstico de los enlaces π. Las mediciones de AFM de C60 sobre HOPG muestran un crecimiento del tipo 2D para bajos recubrimientos, con la formaci´on de islas de C60 de una altura at´omica, los cuales muestran una interacci´on d´ebil con el sustrato. Estas islas tienden a formar una pel´ıcula monoat´omica sin llegar a coalescer por completo. A mayores recubrimientos comienza un crecimiento 3D observ´andose zonas diferenciadas correspondientes a HOPG limpio, una monocapa de C60 e islas de alturas mayores