Silicio policristalino depositado por CVD como material de base para dispositivos electrónicos de película delgada

BENVENUTO, A. G.; BUITRAGO, R. H.; SCHMIDT, J. A.

Villa Carlos Paz

Congreso; 97º Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2012

Asociación Física Argentina

Las películas delgadas de silicio policristalino (pc-Si) depositadas sobre sustratos de vidrio han despertado gran interés como material de base para producir distintos dispositivos optoelectrónicos. Usando la deposición química desde la fase vapor (CVD) como método de deposición, y sustratos comerciales de vidrio aluminosilicato, hemos obtenido películas homogéneas, bien adheridas al sustrato, con una estructura columnar adecuada para la conducción eléctrica en dirección perpendicular al plano de la película. Una fuerte orientación preferencial en el plano (2 2 0) indica una baja densidad de defectos intra-grano. Para complementar la caracterización estructural y eléctrica, en este trabajo usamos la espectroscopía Raman para evaluar la cristalinidad y estado de tensión en las películas. Por otra parte, realizamos mediciones de conductividad y fotoconductividad en función de la temperatura, Efecto Hall, longitud de difusión ambipolar mediante el método de la red fotogenerada de estado estacionario (SSPG), y densidad de estados de defecto por medio de la fotoconductividad modulada (MPC). Mostramos que las propiedades eléctricas de nuestras muestras son comparables o incluso mejores a aquellas del pc-Si depositado por otros métodos más complejos, como Plasma-CVD o CVD-catalítico. Por lo tanto, confirmamos que este silicio policristalino de bajo costo depositado sobre sustratos de vidrio puede resultar de utilidad para aplicaciones electrónicas.