Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado

R. URTEAGA; O. MARÍN; L. N. ACQUAROLI; D. COMEDI; J.A. SCHMIDT; R.R. KOROPECKI

Anales AFA

Año: 2009

Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de Si-p. Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparente de SnO2 y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultado de la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrecho pico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se obtuvieron resultados de la dependencia angular de la energía del pico de fotoconducción, y se propuso una explicación de la conductividad soportado por cálculos del campo electromagnético dentro de la microcavidad.