INTEC 05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
artículos
Título:
JUNTURAS Si-POROSO/SnO2:F. EFECTO DEL DOPAJE EN LAS PROPIEDADES ELECTRICAS Y ESTRUCTURALES
Autor/es:
F. A. GARCES; L. N. ACQUAROLI; A. DUSSAN; R.R. KOROPECKI; R. D. ARCE
Revista:
Anales AFA
Editorial:
Asociación Física Argentina
Referencias:
Lugar: Tandil; Año: 2012 vol. 22 p. 32 - 36
ISSN:
0327-358X
Resumen:
En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada.
