Fotoluminiscencia y Actividad Speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectrónica

L. E. MORINIGO; M. R. TEJERINA; P. VAVELIUK; D. RICHARD

Córdoba

Congreso; 106 Reunión de la Asociación de Física Argentina; 2021

Asociación de Física Argentina

El ZnO y el NiO son semiconductores del grupo II-VI tipo-n y del grupo VII-VI tipo-p, respectivamente. Ambos semiconductores tienen un elevado gap óptico. Los recubrimientos de óxido de zinc dopados o en aleación con metales de transición tiene múltiples aplicaciones como piezoeléctricos, transductores, guías de onda ópticas, electrodos transparentes, celdas solares y diodos1,2.En este trabajo presentamos una caracterización de recubrimientos ZnO/NiO fabricados por sol-gel spray-pyrolysis. Esta técnica consiste en pulverizar una solución que contiene el ion base sobre un sustrato que se mantiene a elevada temperatura (Fig. 1(a)). Si bien el proceso posee algunas dificultades intrínsecas para lograr recubrimientos de baja porosidad (menor al 5 %) por la formación de gotas, el mismo es de especial interés ya que permite escalar el proceso a grandes áreas (>30 cm2) y a bajo costo debido a la simplicidad del montaje y a que puede operar a presión atmosférica. Se obtuvieron capas de considerable porosidad y se correlacionó la actividad speckle con su espesor para distintas composiciones, Además, se caracterizaron empleando las técnicas Difracción de Rayos X, fotoluminiscencia y Transmitancia.