IFLYSIB   05383
INSTITUTO DE FISICA DE LIQUIDOS Y SISTEMAS BIOLOGICOS
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Análisis numérico de la corriente oscura de fotodiodos PIN con diferentes niveles de trampas profundas
Autor/es:
MARCELO ANGEL CAPPELLETTI; GONZALO RUMI; EITEL LEOPOLDO PELTZER Y BLANCÁ
Lugar:
Montevideo, Uruguay
Reunión:
Jornada; XVI Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Asociación de Universidades Grupo Montevideo; 2008
Institución organizadora:
Asociación de Universidades Grupo Montevideo (AUGM) y la Universidad de la República, Montevideo, Uruguay
Resumen:
El desarrollo constante de técnicas computacionales ha permitido, en el campo de los dispositivos optoelectrónicos, estudiar en profundidad sus propiedades puntuales, brindando la posibilidad de diseñar dispositivos que cumplan determinadas aplicaciones específicas. El presente trabajo se propone contribuir en esta línea de investigación, a partir del estudio de fotodiodos PIN, mediante simulación y modelado de los procesos físicos que en ellos ocurren, con la finalidad de poder analizar la corriente oscura bajo radiación solar y a diferentes temperaturas. Los fotodiodos estudiados consideran diferentes niveles de trampas profundas en la banda prohibida del semiconductor, que deben su origen a los metales de transición introducidos intencionalmente al mismo, en particular, paladio, oro, hierro y cadmio.   Los resultados obtenidos ayudan a comprender, describir y predecir el comportamiento de los fotodiodos PIN bajo diferentes condiciones de operación, y pueden ser de utilidad para aplicaciones reales y para el diseño de futuros dispositivos.