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El tiempo de vida media de los portadores minoritarios en un semiconductor es una magnitud importante que permite predecir las propiedades eléctricas y entender los procesos físicos que se llevan a cabo en estos dispositivos. Este depende de la naturaleza del material semiconductor, de los tratamientos químicos a los que ha sido sometido durante el desarrollo del dispositivo final, así como también de los defectos generados por mecanismos externos como la radiación. Desde el punto de vista eléctrico es un factor que influye directamente en los parámetros de los dispositivos semiconductores, como por ejemplo, en: la corriente de saturación inversa de los diodos, el factor de amplificación de corriente de los transistores, el tiempo de recuperación inversa de ambos, la concentración de portadores, la eficiencia de conversión en celdas solares, entre otros. Por otra parte, permite obtener información de la densidad de defectos en los materiales semiconductores y, en consecuencia, determinar la calidad de los mismos. En este trabajo se pretende realizar una comparación entre las técnicas existentes para la medición de tiempos de vida en dispositivos semiconductores. Para ello se utilizarán diferentes tipos de diodos comerciales, entre ellos: rectificadores comunes, leds y fotodiodos pin. Las mediciones se llevarán a cabo mediante las técnicas de recuperación inversa (RR) y decaimiento de la tensión a circuito abierto (OCVD). En base a los resultados obtenidos se determinarán las prestaciones que estos métodos poseen comparando sus ventajas y desventajas.