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El desarrollo constante de técnicas computacionales ha permitido, estudiar en profundidad las propiedades puntuales de los dispositivos optoelectrónicos de alta velocidad, brindando la posibilidad de diseñar dispositivos que cumplan aplicaciones específicas. El presente trabajo se propone contribuir en esta línea de investigación, a partir del estudio de fotodiodos PIN, mediante simulación y modelado de los procesos físicos que en ellos ocurren, con la finalidad de poder determinar sus propiedades de funcionamiento y su respuesta cuando se encuentran bajo los efectos de la radiación solar y trabajando a diferentes temperaturas. En particular, se ha analizado como es afectada la corriente oscura de los dispositivos. Los fotodiodos estudiados consideran diferentes niveles de trampas profundas en la banda prohibida del semiconductor, que deben su origen a los metales de transición introducidos intencionalmente, como impurezas, en su proceso de fabricación, en particular, paladio, oro, hierro y cadmio. Entre los resultados obtenidos por medio de las simulaciones se tiene que el fotodiodo con impurezas de cadmio es quien sufre el mayor incremento de la corriente oscura con la radiación de protones. Mientras que el fotodiodo con impurezas de paladio es quien resulta más inmune a la radiación, pero tiene la menor tasa de recombinación de los cuatro modelos, lo cual le quita eficiencia para aplicaciones que requieran gran velocidad. Por lo tanto, en el momento de diseñar un dispositivo se debe tener en cuenta que no es posible obtener simultáneamente los valores deseados de la tasa de recombinación y de la corriente oscura. Los resultados obtenidos ayudan a comprender, describir y predecir el comportamiento de los fotodiodos PIN, con impurezas, bajo diferentes condiciones de operación. Este estudio presenta gran utilidad para aplicaciones reales y para el diseño de futuros dispositivos.