CETMIC   05378
CENTRO DE TECNOLOGIA DE RECURSOS MINERALES Y CERAMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Recubrimientos cerámicos de ZnO fabricados por sol-gel para optoelectrónica
Autor/es:
M. R. TEJERINA; A. APAOLAZA; D. RICHARD
Lugar:
Santa Fe
Reunión:
Congreso; 104 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2019
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
El óxido de zinc (ZnO) es un semiconductor que ha cobrado gran importancia en el ámbito cientı́fico, tecnológico e industrial debido a su buena transparencia, alta movilidad de electrones, amplio band-gap y fuerte luminiscencia a temperatura ambiente, entre otras cualidades. Por esto, los recubrimientos de ZnO pueden ser aprovechados para la manufacturación de componentes optoelectrónicos, revestimientos o sensores [1,2,3]. En particular, para conformar dispositivos de guiado de luz son deseables espesores de más de 500 nm y una alta transparencia que en general se asocia a una baja porosidad [4,5]. Apuntando a estas caracterı́sticas, en el presente trabajo se reporta la fabricación de estos recubrimientos por nebulización pirolı́tica (sol-gel spray-pyrolysis) y su caracterización. Para esto se han utilizado principalmente las técnicas de transmitancia UV-Vis, difractometrı́a de rayos X, espectroscopia de dispersión de rayos X y microscopı́a electrónica de barrido. Después de depositar diferentes cantidades de solución en un mismo sustrato, se obtuvieron recubrimientos con un espesor máximo homogéneo mayor a 2 μm y con una orientación cristalográfica tı́pica [5]. Si bien debido a su porosidad la transmitancia resultó entre 0.4 y 0.7 para un rango espectral entre 400-600 nm, para longitudes de onda mayores a 800 nm se obtuvo una alta transmitancia (de entre 0.8 y 0.9). Este resultado proyecta su utilización como guı́a de onda de buen desempeño para el rango espectral ubicado en el infrarrojo cercano.[1] L. Znaidi, Mater. Sci. Eng. B 174, 18 (2010).[2] S. Marouf, A. Beniaiche, H. Guessas, A. Azizi, Mater. Res. 20, 88 (2016).[3] A. Tecaru, A. I. Dancu, V. Musat, E. Fortunato, E. Elangovan, J. Optoelectron. Adv. M. 12, 1889 (2010).[4] S. Kumar, A. Kapoor, F. Singh, WRAP 2013, 1 (2013).[5] L. Znaidi, Mater. Sci. Eng. B 174, 18 (2010).