Ataque químico de Si(100) con cloro en condiciones de sobresaturación

C.M. ALDAO, R.E. BUTERA, J.H. WEAVER

La Plata

Congreso; IV Encuentro de Física y Química de Superficies; 2009

La estructura y química de la superficie (100) del silicio ha sido objeto de extensos estudios teóricos y experimentales. La importancia de esta superficie radica en su uso en la tecnología de los circuitos integrados. En particular, el ataque químico seco es un proceso esencial que requiere cada vez mayor precisión dada la continua miniaturización de los dispositivos. En principio, la dinámica del ataque químico con halógenos parece simple, ya que una única especie constituye el producto de la reacción. Sin embargo, su formación y desorción conlleva una variedad de mecanismos complejos. Recientemente hemos encontrado que el ataque químico puede ocurrir bajo condiciones de sobresaturación, lo que se consideraba imposible. El ataque químico del Si(100) con cloro en condiciones de sobresaturación comienza con la inserción de Cl en los enlaces Si-Si mediante la quimisorción disociativa de Cl2. Determinamos que este proceso tiene lugar por medio de enlaces no saturados creados por la desorción de cloro atómico. Con la ayuda de microscopía de efecto túnel, identificamos las especies presentes y determinamos las energías involucradas en los procesos que ocurren en la superficie.