Aplicación de la ecuación de Mott-Schottkyen semiconductores policristalinos

F. SCHIPANI, M. A. PONCE, C. M. ALDAO

Montevideo

Congreso; Segunda Reunión Conjunta Sociedad Uruguaya de Física - Asociación Física Argentina (SUF-AFA); 2011

Asociación Argentina de Física, Sociedad Uruguaya de Física

En este trabajo examinamos el comportamiento capacitivo de barreras de Schottky dobles, que regularmente se encuentran en semiconductores policristalinos. Encontramos que la versión regularmente utilizada de la ecuación de Mott-Schottky puede conducir a errores significativos. Aun cuando nos encontremos ante barreras con un fuerte pinning y en ausencia de niveles profundos, mostramos que la ecuación de Mott-Schottky puede resultar inadecuada y, consecuentemente, dar lugar a grandes errores que se originan en la manera cómo la tensión aplicada se distribuye entre las barreras. Experimentos llevados a cabo con óxido de zinc policristalino corroboran las tendencias predichas por nuestro modelo